壓電光電子效應 是利用在壓電半導體材料中施加應變所產生的壓電電勢來控制在金屬-半導體接觸或者PN結處載流子的產生,傳輸,分離以及/或者複合,從而提高光電器件(例如光子探測器、 太陽能電池和發光二極管 )的性能。佐治亞理工學院的王中林教授於2010年提出了這種效應的基本原理。
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