MOSFET的工作是通过在半导体表面产生导电沟道——表面反型层来进行的,因此器件中存在一个由栅极电压所诱生出来的p-n结——场感应结。一旦出现了沟道,则沟道以内的耗尽层厚度即达到最大,并保持不再变化(不随栅极电压而变化)。
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