百科释义
当元件的几何尺寸缩小时，由于阴影效应（Shadowing Effect），采用标准的离子注入制程将很难在深宽比很大的Si 沟槽两侧与底部进行重度掺杂。一种新的离子注入方法称作等离子体浸入离子注入（Plasma Immersion Ion Implantation，PIII）已经被发展出来。
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